參數(shù)資料
型號： 1N6386
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 1, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大小： 174K
代理商： 1N6386
1500 WATT LOW CLAMPING FACTOR
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2008
10-09-2008 REVD
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6373 thru 1N6389, e3
or MPTE-5 thru MPTE-45C, e3
1N6
373
thru
1N6
389,
e3
MPTE-5
thr
u
MPTE-45
C
,e3
time (t) in milliseconds
FIGURE 4
FIGURE 3
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
Pulse wave form for exponential surge
(Unidirectional Types)
FIGURE 5
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
(Bidirectional Types)
PACKAGE DIMENSIONS
Dimensions in inches (mm)
CASE 1
Pulse time duration (tp) is
defined as that point where
IP decays to 50% of peak
value (IPP).
Peak Value
IPP
Pulse
current
(I
P)
in
percent
of
I
PP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N6151AUS 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6152US 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6155US 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6156AUS 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6157AUS 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
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參數(shù)描述
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1N6386-E3/73 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:1.5KW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVS
1N6386HE3/51 功能描述:DIODE GEN PURPOSE 1.5KE 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101，TransZorb? 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:齊納 雙向通道:1 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:18V 電壓 - 擊穿（最小值）:21.2V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:25.5V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:50A 功率 - 峰值脈沖:1500W（1.5kW） 電源線路保護:無 應(yīng)用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AA，DO-27，軸向 供應(yīng)商器件封裝:1.5KE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,500
1N6386HE3/54 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:1.5KW,18V 10%,BIDIR,AXIAL TVS
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