參數(shù)資料
型號： 1N6385/62
廠商： VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 1.5KE, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： 1N6385/62
ICTE5.0 thru ICTE18C, 1N6373 thru 1N6386
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
Document Number: 88356
Revision: 04-Sep-07
118
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Peak Pulse Power Rating Curve
Figure 2. Pulse Power or Current vs. Initial Junction Temperature
Figure 3. Pulse Waveform
td - Pulse Width (s)
P
PPM
-
Peak
P
u
lse
Po
w
er
(k
W
)
1.0 s
10 s
100 s
1.0 ms
10 ms
0.1 s
0.1
1
10
100
Non-Repetitive Pulse
Waveform shown in Fig. 3
T
A = 25 °C
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
175
200
P
eak
P
u
lse
P
o
w
er
(P
PP
)or
C
u
rrent
(I
PP
)
Der
ating
in
P
ercentage
,
%
TJ - Initial Temperature (°C)
0
50
100
150
t
r = 10 s
Peak Value
I
PPM
Half Value -
I
PPM
I
PP
2
t
d
10/1000 s Waveform
as defined by R.E.A.
0
1.0
2.0
3.0
4.0
t - Time (ms)
I PPM
-
P
e
ak
P
u
lse
C
u
rrent,
%
I
RSM
T
J = 25 °C
Pulse Width (t
d)
is defined as the Point
where the Peak Current
decays to 50 % of I
PPM
Figure 4. Typical Junction Capacitance Uni-Directional
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Maximum Non-Repetitive Forward Surge Current
Uni-Directional Only
VBR - Breakdown Voltage (V)
C
J-
J
u
nction
Capacitance
(pF)
100
1000
10000
100000
10
1.0
100
200
Measured at
Zero Bias
Measured at Stand-Off
Voltage V
WM
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
VBR - Breakdown Voltage (V)
C
J-
J
u
nction
Capacitance
(pF)
100
1000
10000
100000
10
1.0
100
200
Bi-Directional Type
Measured at
Zero Bias
Measured at Stand-Off
Voltage V
WM
Non-Repetitive Pulse
Waveform shown in Fig. 3
T
A = 25 °C
Number of Cycles at 60 Hz
I FSM
-
Peak
For
w
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
1
5
10
50
100
10
50
100
200
T
J = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
相關PDF資料
PDF描述
1N6385/70 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.5KE110ATR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.5KE11CTR 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.5KE11TR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1.5KE12ATR 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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1N6385-E3/54 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
1N6385-E3/73 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 15V Bidirect RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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