參數(shù)資料
型號： 1N6381
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： PLASTIC, CASE 1, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 174K
代理商： 1N6381
1500 WATT LOW CLAMPING FACTOR
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Microsemi
Scottsdale Division
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
Page 3
Copyright
2008
10-09-2008 REVD
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6373 thru 1N6389, e3
or MPTE-5 thru MPTE-45C, e3
1N6
373
thru
1N6
389,
e3
MPTE-5
thr
u
MPTE-45
C
,e3
time (t) in milliseconds
FIGURE 4
FIGURE 3
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
Pulse wave form for exponential surge
(Unidirectional Types)
FIGURE 5
Typical Capacitance vs. Breakdown Voltage
(Bidirectional Types)
PACKAGE DIMENSIONS
Dimensions in inches (mm)
CASE 1
Pulse time duration (tp) is
defined as that point where
IP decays to 50% of peak
value (IPP).
Peak Value
IPP
Pulse
current
(I
P)
in
percent
of
I
PP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N6165US 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6166US 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6167AUS 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6172AUS 1500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6109US 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
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參數(shù)描述
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1N6381RL4 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1N6381RL4G 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:1500 Watt Peak Power Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
1N6382 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Zener Transient Voltage Suppressors Unidirectional and Bidirectional
1N6382/1 功能描述:TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 1500W 8.0V 10% Bidir RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 極性:Bidirectional 工作電壓: 擊穿電壓:58.9 V 鉗位電壓:77.4 V 峰值浪涌電流:38.8 A 系列: 封裝 / 箱體:DO-214AB 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C
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