參數(shù)資料
型號： 1N6122US
廠商： MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS, D-5B, E-MELF-2
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 169K
代理商： 1N6122US
Voidless-Hermetically-Sealed Surface
Mount Bidirectional Transient Suppressors
WWW
.Microse
m
i
.CO
M
S C O T TS DALE DIVISION
1N6103US thru 1N6137AUS
and 1N6139US thru 1N6173AUS
1N6
103
US
–
1N6
137
AUS
1N6
139
US
GRAPHS
Microsemi
Scottsdale Division
Page 3
Copyright
2008
05-06-2008 REV D
–
1N6
173
AUS
PULSE TIME (
tp)
FIGURE 1
PEAK PULSE POWER vs. PULSE TIME
MAX
PEAK
PULSE
PO
WER
(P
PP
)OR
CURREN
T
(I
PP
)I
N
PERCENT
OF
MAX
RATIN
G
S
Peak
Pulse
Power
(P
PP
)
100
10
0
10,00
0
JUNCTION TEMPERATURE (TJ) IN
oC
FIGURE 2
PULSE DERATING CURVE
(prior to impulse)
PULSE
CURRE
NT
(I
PP
)
IN
PERCENT
OF
I PP
TIME (t) IN MILLISECONDS
FIGURE 3
PULSE WAVE FORM
8700 E. Thomas Rd. PO Box 1390, Scottsdale, AZ 85252 USA, (480) 941-6300, Fax: (480) 947-1503
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N6123AUS 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6125US 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6126US 500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6127US 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
1N6132AUS 500 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
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