參數(shù)資料
型號(hào): 1N5806D2B-JQRS.GCDE
廠(chǎng)商: SEMELAB LTD
元件分類(lèi): 參考電壓二極管
英文描述: 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝: HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC2 VARIANT B, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 193K
代理商: 1N5806D2B-JQRS.GCDE
ULTRAFAST RECOVERY
RECTIFIER DIODE
1N5806D2A / 1N5806D2B
Semelab plc
Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Document Number 8318
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Issue 2
Email: sales@semelab-tt.com
Website: http://www.semelab-tt.com
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ELECTRICAL CHARACTERISTICS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise stated)
Symbols
Parameters
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
0.875
TA = 125°C
0.800
IFM = 1.0A
TA = -65°C
1.075
VF
*
Forward Voltage
IFM = 2.5A
0.975
V
1.0
IR
*
Reverse Current
VR = 150V
TA = 125°C
175
A
160
VBR
*
Breakdown Voltage
IBR = 100A
TA = -65°C
150
V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
DYNAMIC CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise stated)
trr
Reverse Recovery Time
IF = IRM = 0.5A, I(REC) = 0.05A
di/dt = 65A/s
25
ns
CJ
Capacitance
VR = 10V
f = 1.0MHz, Vsig = 50mV
25
pF
* Pulse Test:
tp = 300us, Duty Cycle ≤ 2%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5811D3A-JQRS.L1DE 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N5811D3A-JQRS.L2D 3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1N5814P 20 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
1N5817{TAPE-REEL} 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
1N5818-B
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參數(shù)描述
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1N5806E3/TR 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):150V 電流 - 平均整流(Io):2.5A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):25ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 10V,1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:A,軸向 供應(yīng)商器件封裝:A,軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100
1N5806JANTX 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
1N5806JTXV 制造商:SEM 功能描述:
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