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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5806 |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 1.3 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, G111, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 158K |
| 代理商： | 1N5806 |
RECTIFIER, up to 150V, 2.5A,
25ns
1N5802
1N5804
1N5806
36
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 1N5807 | 1.7 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
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| 1N6079 | 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N4968 | 27 V, 5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5806/TR | 功能描述:UFR,FRR 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:975mV @ 2.5A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 10V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:A，軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 |
| 1N5806C.TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL 制造商:semtech corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:150V 電流 - 平均整流（Io）:2.5A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:875mV @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 150V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:25pF @ 5V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 1N5806CSM4 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
| 1N5806D2A | 制造商:TT Electronics/ Semelab 功能描述:DIODE HI-REL RECT 150V 1A DLCC2 |
| 1N5806D2B | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE |
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