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參數(shù)資料
| 型號： | 1N5530B |
| 英文描述： | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 中文描述： | 低的反向漏電特性 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 99K |
| 代理商： | 1N5530B |
1N5518 thru 1N5546D
INCLUDING -1 VERSIONS
.1
.2
.5
1
2
5
10
20
50
100
OPERATING CURRENT IZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
400
300
200
100
0
JL,
Junction
to
Lead
Thermal
Resistance
(°C/W)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
L, lead Length to Heat Sink (inches)
FIGURE 2
TYPICAL THERMAL RESISTANCE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5530B-1 | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 1N5530 | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| 1N5531B-1 | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 1N5532B-1 | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
| 1N5533B | LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5530B (DO35) | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE ZENER DO-35 SD - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW DO-35 |
| 1N5530B(DO35) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Low Voltage Avalanche Zener[Qual Data] |
| 1N5530B-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
| 1N5530BTR-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes |
| 1N5530BUR | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW |
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