參數(shù)資料
型號： 1N5519B
英文描述： LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS
中文描述： 低的反向漏電特性
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 99K
代理商： 1N5519B
1N5518 thru 1N5546D
INCLUDING -1 VERSIONS
.1
.2
.5
1
2
5
10
20
50
100
OPERATING CURRENT IZT (mA)
FIGURE 3
ZENER IMPEDANCE VS. OPERATING CURRENT
ZENER
IMPEDANCE
Z
ZT
(OHMS)
1000
500
400
300
200
100
50
40
30
20
10
5
4
3
2
1
400
300
200
100
0
JL,
Junction
to
Lead
Thermal
Resistance
(°C/W)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
L, lead Length to Heat Sink (inches)
FIGURE 2
TYPICAL THERMAL RESISTANCE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5519 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
1N5520B-1 MSTB 2,5/20-ST
1N5520 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
1N5521B-1 LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS
1N5521B LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N5519B (DO35) 功能描述:DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:24 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1
1N5519B(DO35) 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Low Voltage Avalanche Zener
1N5519B-1 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
1N5519BTR-1 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Low Voltage Surface Mount 500 mW Avalanche Diodes
1N5519BUR 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW
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