型號(hào): | 1N5473B |
元件分類: | 變?nèi)荻O管 |
英文描述: | 56 pF, 45 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 113K |
代理商: | 1N5473B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5475B | 82 pF, 45 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5475 | 82 pF, 45 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5682 | 7 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5683B | 10 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5685C | 15 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N5517 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
1N5518 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
1N5518_03 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |
1N5518-1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:LOW VOLTAGE AVALANCHE DIODES DO-35 |
1N5518A | 制造商: 功能描述:Zener Diode, Two Terminal, 3.3 Volt, 10%, DO-35 |