型號(hào): | 1N5467C |
元件分類(lèi): | 變?nèi)荻O管 |
英文描述: | 20 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
封裝: | GLASS PACKAGE-2 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
文件大?。?/td> | 12K |
代理商: | 1N5467C |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5469A | 27 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5470 | 33 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5471 | 39 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1N5475 | 82 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-7 |
1SV249 | 50 V, SILICON, PIN DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N547 | 制造商:n/a 功能描述:1N547 制造商:General Electric Company 功能描述: |
1N5470BJTX | 制造商:TDY 功能描述:1N5470BJTX |
1N5517 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
1N5518 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES |
1N5518_03 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:LOW REVERSE LEAKAGE CHARACTERISTICS |