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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N5408-E3/54 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 1N5408-E3/54 |
Document Number: 88516
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Revision: 04-Nov-09
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
3
1N5400 thru 1N5408
Vishay General Semiconductor
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0.01
0.1
10
100
1
Instantaneous Forward Voltage (V)
In
s
tantaneou
s
Forwar
d
Curr
ent
(A)
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 μs
1 % Duty Cycle
60
40
20
0
100
80
0.01
0.1
100
1
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e
Curr
ent
(μA)
T
J = 150 °C
T
J = 25 °C
T
J = 100 °C
1
0.1
10
100
10
1
Reverse Voltage (V)
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
Junction
Capacitance
(pF)
0.1
0.01
10
1
100
10
1
0.1
t - Pulse Duration (s)
Tr
a
n
s
ient
Thermal
Impedance
(°C/W)
DO-201AD
0.210 (5.3)
0.190 (4.8)
DIA.
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
1.0 (25.4)
MIN.
0.375 (9.5)
0.285 (7.2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N5419 | 3 A, 500 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 1N5446A | 18 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE, DO-204AA |
| 1N5530A | 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35 |
| 1N5618UL | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 1N5629B | 1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N5408G | 功能描述:整流器 1000V 3A Standard RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N5408-G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) VR=1000V, IO=3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| 1N5408G A0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 1N5408G B0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 3A DO201AD 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 3A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:25pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:500 |
| 1N5408G R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R |
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