參數(shù)資料
型號： 1N5402GP
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 整流器
英文描述： 3 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
文件頁數(shù)： 3/3頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 1N5402GP
1
100
4
0
50
100
150
8
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10
20
60 80
40
200
250
300
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
20
120
40
60
80
100
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
TA=25
°C
40
60
100
140
1N5400GP thru 1N5408GP
相關PDF資料
PDF描述
1N5404GP 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5408GP 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5400G 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5406G 3 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5400TR 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
1N5402GP-TP 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 3A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:40pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-201AD，軸向 供應商器件封裝:DO-201AD 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1,200
1N5402G-T 功能描述:整流器 3.0A 100V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N5402K 制造商:DIOTEC 制造商全稱:Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon Rectifiers
1N5402-LFR 制造商:FRONTIER 制造商全稱:Frontier Electronics. 功能描述:3A GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
1N5402R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:Diode 200V 3A 2-Pin DO-201AD
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