參數(shù)資料
型號(hào): 1N5399
廠商: MICROSEMI CORP
元件分類(lèi): 整流器
英文描述: 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商: 1N5399
1
100
4
0
10
20
30
8
Figure 5
Peak Forward Surge Current
Peak Forward Surge Current - Amperes versus
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles
Amps
Cycles
2
6
10
20
60 80
40
50
60
Figure 4
Typical Reverse Characteristics
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperes versus
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts
Volts
4
6
20
10
Amps
20
120
40
60
80
100
.01
.02
.04
.06
.1
.2
.4
.6
1
2
TA=25
°C
40
60
100
140
1N5391GP thru 1N5399GP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5400GP 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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1N5404GP 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5408GP 3 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
1N5400G 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
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參數(shù)描述
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1N5399-B 功能描述:整流器 1000V Io/1.5A BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel