參數(shù)資料
型號： 1N5260BT/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 43 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
封裝： HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 34K
代理商： 1N5260BT/R
1996
Apr
26
4
Philips
Semiconductors
Product
specication
V
oltage
regulator
diodes
1N5225B
to
1N5267B
Notes
1. VZ is measured with device at thermal equilibrium while held in clips at 10 mm from body in still air at 25 °C.
2. For types 1N5225B to 1N5242B the IZ current is 7.5 mA; for 1N5243B and higher IZ =IZtest. SZ values valid between 25 °C and 125 °C.
1N5251B
22
600
+0.087
5.6
60
0.1
17.0
1.25
1N5252B
24
600
+0.088
5.2
55
0.1
18.0
1.25
1N5253B
25
600
+0.089
5.0
55
0.1
19.0
1.25
1N5254B
27
600
+0.090
4.6
50
0.1
21.0
1.0
1N5255B
28
600
+0.091
4.5
50
0.1
21.0
1.0
1N5256B
30
600
+0.091
4.2
50
0.1
23.0
1.0
1N5257B
33
700
+0.092
3.8
45
0.1
25.0
0.9
1N5258B
36
700
+0.093
3.4
45
0.1
27.0
0.8
1N5259B
39
800
+0.094
3.2
45
0.1
30.0
0.7
1N5260B
43
900
+0.095
3.0
40
0.1
33.0
0.6
1N5261B
47
1000
+0.095
2.7
40
0.1
36.0
0.5
1N5262B
51
1100
+0.096
2.5
40
0.1
39.0
0.4
1N5263B
56
1300
+0.096
2.2
40
0.1
43.0
0.3
1N5264B
60
1400
+0.097
2.1
40
0.1
46.0
0.3
1N5265B
62
1400
+0.097
2.0
35
0.1
47.0
0.3
1N5266B
68
1600
+0.097
1.8
35
0.1
52.0
0.25
1N5267B
75
1700
+0.098
1.7
35
0.1
56.0
0.2
TYPE No.
WORKING
VOLTAGE
VZ (V)(1)
at IZtest
DIFFERENTIAL
RESISTANCE
rdif ()
at IZtest
TEMP. COEFF.
SZ (%/K)
at IZ(2)
TEST
CURRENT
IZtest (mA)
DIODE CAP.
Cd (pF)
at f = 1 MHz;
at VR =0V
REVERSE CURRENT
at REVERSE
VOLTAGE
NON-REPETITIVE PEAK
REVERSE CURRENT
IZSM (A)
tp = 100 s; Tamb =25 °C
IR (A)
VR
(V)
NOM.
MAX.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N5262BT/R 51 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5232BT/R 5.6 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5240BT/R 10 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5258BT/R 36 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N5265A(DO7) 62 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-7
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1N5260C-TAP 功能描述:穩(wěn)壓二極管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5260C-TR 功能描述:穩(wěn)壓二極管 43 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
1N5260TA 功能描述:DIODE ZENER 43V 500MW DO35 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:93 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 33V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N5261 制造商:n/a 功能描述:1N5261 S9H1B
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