參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4755G
元件分類： 齊納二極管
英文描述： 43 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
封裝： ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大小： 151K
代理商： 1N4755G
1N4728G-1N4758G
Dimension
Min
Max
Min
Max
A
0.72
0.86
0.028 0.034
B
4.07
5.2
0.16
0.205
C
25.4
---
1
---
D
2.04
2.71
0.08
0.107
Cathode
Anode
Symbol
Units
PD
W
Rjl
Rja
TOPR
TSTG
Notes: These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired
Value
1
53.5
100
-65 to +200
Millimeters
Inches
High temperature soldering guaranteed:
260oC//10 seconds
Lead: Pure tin plated , lead free, solderable per
MIL-STD-202, Method 208 guaranteed
Operating Temperature Range
ELECTRICAL SYMBOL
Zener Voltage Range 3.3. to 56Volts.
1W DO-41 Zener Voltage Regulators
DO-41 Package (JEDEC)
Hermetically Sealed Glass
Compression Bonded Construction
DO-41
Features
Through-Hole Device Type Mounting
Mechanical Data
RoHS Compliant
Solder Hot Dip Tin(Sn) Lead Finish
Storage Temperature Range
Thermal Resistance Junction to Ambient
Power Dissipation
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.270~0.290 grams
All External Suface Are Corrosion Resistant And
Terminals Are Readily Solderable
Marking code : 1N47XXG for ± 5% Vz
1N47XXC for ± 2% Vz
Thermal Resistance Junction to Lead
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25J ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Type Number
Pb
RoHS
COMPLIANCE
RoHS
COMPLIANCE
°C / W
°C
1 of 2
Version : B08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4756C 47 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4731 4.3 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4739 9.1 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4759 62 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4764 100 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4755G A0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
1N4755G R0G 功能描述:DIODE ZENER 43V 1W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:43V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:70 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 32.7V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TA） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N4755P/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 43V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 43V 10% DO41
1N4755P/TR8 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 43V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 43V 10% DO41
1N4755PE3/TR12 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:1.0W, VZ = 43V, ? 10% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 1.0W 43V 10% DO41
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