參數(shù)資料
型號: 1N4737ACRL
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 55K
代理商: 1N4737ACRL
GENERAL DATA — 500 mW DO-35 GLASS
Motorola TVS/Zener Device Data
6-4
500 mW DO-35 Glass Data Sheet
Figure 10. Typical Forward Characteristics
VF, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(mA)
MAXIMUM
150
°C
75
°C
0
°C
25
°C
Figure 6. Effect of Zener Current
on Zener Impedance
Figure 7. Effect of Zener Voltage
on Zener Impedance
Figure 9. Typical Capacitance versus VZ
Figure 8. Typical Leakage Current
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
IZ, ZENER CURRENT (mA)
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
2
100
VZ, ZENER CURRENT (mA)
35
7
10
20
30
50
70
Z
,DYNAMIC
IMPEDANCE
(OHMS)
10000
7000
5000
2000
1000
700
500
200
100
70
50
20
10
7
5
2
1
0.7
0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.02
0.01
0.007
0.005
0.002
0.001
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)
3
456
78
9
10
11
12
13
14
15
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (VOLTS)
+25
°C
+125
°C
TYPICAL LEAKAGE CURRENT
AT 80% OF NOMINAL
BREAKDOWN VOLTAGE
TJ = 25°C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
f = 60 Hz
6.2 V
27 V
VZ = 2.7 V
47 V
TJ = 25°C
iZ(rms) = 0.1 IZ(dc)
f = 60 Hz
20 mA
5 mA
IZ = 1 mA
0 V BIAS
1 V BIAS
400
300
200
100
50
20
10
8
4
1
2
5
10
20
50
100
VZ, NOMINAL VZ (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
50% OF BREAKDOWN BIAS
MINIMUM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4737A 7.5 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4741ARL2 11 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4743ATA 13 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4744AD 15 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
1N4747ARL 20 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4737ADO41E3 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO-41 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 單二極管/齊納 系列:- 標準包裝:1 系列:- 電壓 - 齊納(標稱)(Vz):36V 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 電流 - 在 Vr 時反向漏電:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-323 包裝:剪切帶 (CT) 工作溫度:-65°C ~ 150°C 產(chǎn)品目錄頁面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
1N4737AE3/TR13 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 1W DO204AL 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):4 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 標準包裝:5,000
1N4737AG 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:VOLTAGE 3.3 ~ 56 V, 1 W Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators
1N4737A-G 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SILICON ZENER DIODE
1N4737A-G _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: