型號: | 1N4448T50A |
廠商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
英文描述: | 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 148K |
代理商: | 1N4448T50A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N483BT26A | 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N486BT50A | 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N486BT50R | 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N6099T50A | 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
1N914BT50R | 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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1N4448T-72 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 SWITCH 150MA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448T-77 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448TAP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448-TAP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448-TP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |