型號: | 1N4448T11A |
元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
英文描述: | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
文件頁數(shù): | 1/5頁 |
文件大小: | 141K |
代理商: | 1N4448T11A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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1N4606T-85 | 0.2 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N914T-12A | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N914T-84 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N914T11A | 0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
1N916T-10 | 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N4448T-72 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 SWITCH 150MA 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448T-77 | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 SWITCHING 26mm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448TAP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448-TAP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 Vr/75V Io/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
1N4448-TP | 功能描述:二極管 - 通用,功率,開關 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |