參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4448
廠商： GE Security, Inc.
英文描述： Small Signal Diodes(小信號(hào)二極管)
中文描述： 小信號(hào)二極管（小信號(hào)二極管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 144K
代理商： 1N4448
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 °C
ambient temperature unless otherwise specified
1N4448
Rectification Efficiency Measurement Circuit
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward Voltage
at I
F
= 5 mA
at I
F
= 10 mA
V
F
V
F
0.62
–
–
–
0.72
1
V
V
Leakage Current
at V
R
= 20 V
at V
R
= 75 V
at V
R
= 20 V, T
j
= 150 °C
I
R
I
R
I
R
–
–
–
–
–
–
25
5
50
nA
μ
A
μ
A
Reverse Breakdown Voltage
tested with 100
μ
A Pulses
V
(BR)R
100
–
–
V
Capacitance
at V
F
= V
R
= 0 V
C
tot
–
–
4
pF
Reverse Recovery Time
from I
F
= 10 mA to I
R
= 1 mA, V
R
= 6 V, R
L
= 100
t
rr
–
–
4
ns
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
R
thJA
–
–
350
1)
K/W
Recification Efficiency at f = 100 MHz, V
RF
= 2 V
η
v
0.45
–
–
–
1)
Valid provided that leads at a distance of 8 mm from case are kept at ambient temperature.
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1N4448 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4448 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N4448 R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:
1N4448 TR 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 100mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:25nA @ 20V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 200°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
1N4448,113 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) HI SPEED DO-35 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
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