參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4447T-11
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
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代理商： 1N4447T-11
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PDF描述
1N4449T-73 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4449T-84 0.15 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
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1N4450T-16A 0.2 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
1N4450T-77 0.2 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
1N4447TR 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) Single Junction 100V 4ns Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) Hi Conductance Fast RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
1N4448 _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1N4448 A0G 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:150mA 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:720mV @ 5mA 速度:小信號(hào) =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:4ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 75V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:4pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
1N4448 R0 制造商:Taiwan Semiconductor 功能描述:
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