型號: | 1N4006 |
元件分類: | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
英文描述: | SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 48K |
代理商: | 1N4006 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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1N5400 | 3 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
1N5404 | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
1N5401G | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
1N5407G | 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
1N5401 | 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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1N4006- | 制造商:TAIW 功能描述:General Purpose 800V Through Hole Rectifier DO-41 1.0A |
1N4006 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
1N4006 BK | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 |
1N4006 R0 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:DIODE 1A 800V REEL 5K |
1N4006 TR | 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A DO41 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr,F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-41 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |