參數(shù)資料
型號(hào)： 1N4006
廠商： MICROSEMI CORP
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 238K
代理商： 1N4006
21201 Itasca St.
Chatsworth, CA 91311
Phone: (818) 701-4933
Fax:
(818) 701-4939
1N4001
thru
1N4007
1 Amp Rectifier
50 - 1000 Volts
DO-41
Features
Low Current Leakage
Metallurgical Bonded Construction
Low Cost
DIMENSIONS
INCHES
MM
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
NOTE
A
.166
.205
4.10
5.20
B
.080
.107
2.00
2.70
C
.028
.034
.70
.90
D
1.000
---
25.40
---
Maximum Ratings
Operating Temperature: -50
°C to +175°C
Storage Temperature: -50
°C to +175°C
Maximum Thermal Resistance; 20
°C/W Junction To Lead
Microsemi
Part Number
Maximum
Recurrent
Peak Reverse
Voltage
Maximum
RMS Voltage
Maximum DC
Blocking
Voltage
1N4001
50V
35V
50V
1N4002
100V
70V
100V
1N4003
200V
140V
200V
1N4004
400V
280V
400V
1N4005
600V
420V
600V
1N4006
800V
560V
800V
1N4007
1000V
700V
1000V
Electrical Characteristics @ 25
°C Unless Otherwise Specified
Average Forward
Current
IF(AV)
1.0A
TA = 75
°C
Peak Forward Surge
Current
IFSM
30A
8.3ms, half sine
Maximum
Instantaneous
Forward Voltage
VF
1.1V
IFM = 1.0A;
TJ = 25
°C*
Maximum DC
Reverse Current At
Rated DC Blocking
Voltage
IR
5.0
A
50
A
TJ = 25
°C
TJ = 125
°C
Typical Junction
Capacitance
CJ
15pF
Measured at
1.0MHz, VR=4.0V
*Pulse test: Pulse width 300
sec, Duty cycle 2%
A
B
C
D
Cathode
Mark
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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1N4056R 275 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-9
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1N4102 8.7 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
1N4104V 10 V, 0.25 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35
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參數(shù)描述
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