參數(shù)資料
型號(hào): 1N4004GP-HE3
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大?。?/td> 102K
代理商: 1N4004GP-HE3
1N4001GP thru 1N4007GP
Vishay General Semiconductor
Document Number: 88504
Revision: 02-Apr-08
For technical questions within your region, please contact one of the following:
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
3
RATINGS AND CHARACTERISTICS CURVES
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.375" (9.5 mm)
Lead Length
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
Ambient Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
5
10
1
100
10
15
20
25
30
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
T
J = TJ Max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
1
10
100
T
J = 25 °C
Pulse Width = 300 s
1 % Duty Cycle
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Figure 4. Typical Reverse Characteristics
Figure 5. Typical Junction Capacitance
Figure 6. Typical Transient Thermal Impedance
0
0.01
0.1
1
10
60
80
100
20
40
T
J = 100 °C
T
J = 25 °C
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
C
u
rrent
(
A)
0.1
10
1
100
1
10
100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
T
J = 25 °C
f = 1.0 MHz
V
sig = 50 mVp-p
0.01
0.1
10
1
100
0.1
10
100
1
T
ransient
Ther
mal
Impedance
(°C/
W
)
t - Pulse Duration (s)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4247GP-HE3 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4249GP-E3 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4249GP-HE3 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N5619GP-E3 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
1N5619GP-HE3 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4004GPHE3/54 功能描述:整流器 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4004GPHE3/73 功能描述:整流器 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4004GPHM3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500
1N4004GPHM3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500
1N4004GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500