參數(shù)資料
型號(hào): 1N4001GP-HE3
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 參考電壓二極管
英文描述: 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 329K
代理商: 1N4001GP-HE3
www.vishay.com
2
Document Number 88504
14-Sep-05
1N4001GP thru 1N4007GP
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Thermal Characteristics
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length, P.C.B. mounted
* JEDEC registered values
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol 1N4001GP 1N4002GP 1N4003GP 1N4004GP 1N4005GP 1N4006GP 1N4007GP
Unit
Maximum
instantaneous
forward voltage
at 1.0 A
VF
1.1
V
* Maximum DC
reverse current
at rated DC
blocking voltage
TA=25°C
TA = 125 °C
IR
5.0
50
A
Typical reverse
recovery time
at IF = 0.5 A,
IR = 1.0 A,
Irr = 0.25 A
trr
2.0
s
Typical junction
capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
8.0
pF
Parameter
Symbol 1N4001GP 1N4002GP 1N4003GP 1N4004GP 1N4005GP 1N4006GP 1N4007GP
Unit
Typical thermal resistance (1)
RθJA
RθJL
55
25
°C/W
Figure 1. Forward Current Derating Curve
0
25
50
75
100
125
150
175
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0.375" (9.5mm)
Lead Length
60 Hz
Resistive or
Inductive Load
Ambient Temperature (°C)
A
v
er
age
F
o
rw
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
Figure 2. Maximum Non-repetitive Peak Forward Surge Current
5.0
1
10
100
10
15
20
25
30
TJ = TJ max.
8.3 ms Single Half Sine-Wave
Number of Cycles at 60 Hz
Pe
a
k
F
o
rw
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1N4001GP/54 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4001GP/92 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4001GP/65 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4002GP/54 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
1N4002GP/72 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1N4001GPHE3/54 功能描述:整流器 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4001GPHE3/73 功能描述:整流器 50 Volt 1.0 Amp Glass Passivated RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1N4001GPHM3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500
1N4001GP-M3/54 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,500
1N4001GP-M3/73 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):- 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL(DO-41) 工作溫度 - 結(jié):-50°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000