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參數(shù)資料
| 型號： | 1N4001G-13 |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 1N4001G-13 |
DS29002 Rev. D-2
1 of 2
1N4001G/L-1N4007G/L
www.diodes.com
Diodes Incorporated
1N4001G/L - 1N4007G/L
1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER
Features
“L” Suffix Designates A-405 Package
No Suffix Designates DO-41 Package
DO-41 Plastic
A-405
Dim
Min
Max
Min
Max
A
25.40
—
25.40
—
B
4.06
5.21
4.10
5.20
C
0.71
0.864
0.53
0.64
D
2.00
2.72
2.00
2.70
All Dimensions in mm
A
B
C
D
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise specified
Glass Passivated Die Construction
Diffused Junction
High Current Capability and Low Forward
Voltage Drop
Surge Overload Rating to 30A Peak
Plastic Material - UL Flammability
Classification 94V-0
Mechanical Data
Case: Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Cathode Band
Weight: DO-41 0.30 grams (approx)
A-405 0.20 grams (approx)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
1N4001
G/GL
1N4002
G/GL
1N4003
G/GL
1N4004
G/GL
1N4005
G/GL
1N4006
G/GL
1N4007
G/GL
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
VRRM
VRWM
VR
50
100
200
400
600
800
1000
V
RMS Reverse Voltage
VR(RMS)
35
70
140
280
420
560
700
V
Average Rectified Output Current
(Note 1)
@ TA = 75°C
IO
1.0
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
IFSM
30
A
Forward Voltage
@ IF = 1.0A
VFM
1.0
V
Peak Reverse Current
@TA = 25°C
at Rated DC Blocking Voltage
@ TA = 125°C
IRM
5.0
50
A
Reverse Recovery Time (Note 3)
trr
2.0
s
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Cj
8.0
pF
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient
RqJA
100
K/W
Operating and Storage Temperature Range
Tj, TSTG
-65 to +175
°C
Notes:
1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3. Measured with IF = 0.5A, IR = -1A, Irr = 0.25A.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N4002G-13 | 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4003G-13 | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4005G-13 | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001GH02 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
| 1N4001GH03-3 | 1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N4001G-1N4007G | 制造商:TAYCHIPST 制造商全稱:Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 功能描述:GLASS PASSIVATED GENERAL PURPOSE RECTIFIERS |
| 1N4001G-A | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:1.0A GLASS PASSIVATED RECTIFIER |
| 1N4001G-B | 功能描述:整流器 Vr/50V Io/1A BULK RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| 1N4001GHA0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| 1N4001GHB0G | 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 1A 速度:標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io） 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結(jié):-55°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
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