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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 1N23WE |
| 廠商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SILICON MIXER DIODE |
| 中文描述： | SILICON, X-KU BAND, MIXER DIODE, DO-23 |
| 封裝： | HERMETIC SEALED PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | 1N23WE |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1N268 | GOLD BONDED DIODES |
| 1N273 | GOLD BONDED DIODES |
| 1N276 | GOLD BONDED DIODES |
| 1N60A | GOLD BONDED DIODES |
| 1N276 | Optimized for Radio Frequency Response |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1N23WEJAN | 制造商:MA 功能描述:1N23 MICROWAVE ASSOC |
| 1N23WEM | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SILICON POINT CONTACT MIXER DIODES |
| 1N23WEMR | 制造商: 功能描述: 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 1N23WEMRJ | 制造商: 功能描述: 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述: |
| 1N23WEMRJAN | 制造商: 功能描述: 制造商:MILITARY SPECIFICATIONS P 功能描述: |
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