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參數(shù)資料
| 型號： | 1MB10-120 |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Fuji Discrete Package IGBT |
| 中文描述： | 16 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 226K |
| 代理商： | 1MB10-120 |
0
200
400
600
800
1000 1200 1400
0
5
10
15
20
25
Reverse Biased Safe Operating Area
+V
GE
=15V, -V
GE
<15V, T
j
<125°C, R
G
>16
C
C
Collector-Emitter Voltage : V
CE
[V]
5
10
15
20
25
0
50
100
150
200
S
S
t
SC
Gate Voltage : V
GE
[V]
0
20
40
60
80
S
S
Typical Short Circuit Capability
V
CC
=800V, R
G
=16
, T
j
=125°C
I
SC
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
25°C
T
j
=125°C
Forward Voltage vs. Forward Current
F
F
Forward Voltage : V
F
[V]
0
50
100
150
200
250
300
t
rr
R
r
-di
/
dt
[A/μsec]
0
100
200
300
400
500
600
0
5
10
15
20
25
30
R
r
I
rr
Reverse Recovery Characteristics vs.
-di
/
dt
I
F
=10A, T
j
=125°C
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
10
0
10
1
IGBT
Transient Thermal Resistance
T
Pulse Width : P
W
[sec]
P.O. Box 702708-Dallas, TX 75370 Phone (972) 233-1589 Fax (972) 233-0481 www.collmer.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1MB10D-120 | Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB12-140 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 1MB15D-060 | Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB20D-060 | Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB20-060 | Potentiometer; Resistance Max:10kohm; Resistance Tolerance:+/- 20 %; Power Rating:0.05W; Voltage Rating:50 VAC, 20VDC; Series:PTV111 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 1MB10-120_01 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:1200V / 10A Molded Package |
| 1MB10D-120 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Fuji Discrete Package IGBT |
| 1MB12-140 | 制造商:n/a 功能描述:Power Semiconductor |
| 1MB15D-060 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:600V / 15A Molded Package |
| 1MB20-060 | 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:Fuji Discrete Package IGBT |
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