參數(shù)資料
型號： 1KSMB30
元件分類： TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制
英文描述： 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大小： 287K
代理商： 1KSMB30
Revision: December 01, 2010, 13:50
2010 Littelfuse, Inc.
Specications are subject to change without notice.
Transient Voltage Suppression Diodes
37
Surface Mount – 1000W > 1KSMB series
1KSMB Series
Please refer to http://www.Littelfuse.com/series/1KSMB.html for current information.
Ratings and Characteristic Curves (T
A=25°C unless otherwise noted)
1
10
100
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
t
d-Pulse W idth (se c.)
P
PPM
-Peak
Pulse
Power
(kW)
0.2x0.2" (5.0x5.0mm)
Copper Pad Area
I PPM
-P
eak
P
ulse
Cur
rent,
%
I
RSM
0
50
100
150
1.0
2.0
3.0
4.0
tr=10μsec
Peak Value
IPPM
2
TJ=25°C
Pulse Width(td) is dened
as the point where the peak
current decays to 50% of IPPM
10/1000μsec. Waveform
as dened by R.E.A
td
t-Time (ms)
Half Value
IPPM
( )
0
20
40
60
80
100
0
25
50
75
100
125
150
175
Peak
Pulse
Power
(P
PP
)or
Current
(I
PP
)
Derating
in
Percentage
%
T
A-Ambient temperature (C)
1
10
100
1000
10000
1.0
10.0
100.0
1000.0
C
j(
pF)
Tj=25C
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
Uni-directional V=0V
Bi-directional V=0V
V
BR - Reverse Breakdown Voltage (V)
Uni-directional @V
R
Bi-directional @V
R
0
1
2
3
4
5
6
0
25
50
75
100
125
150
175
T
A - Ambie nt Te mpe ra ture(C)
P
M(
A
V
)
,S
tead
y
S
tate
P
o
wer
D
is
s
ip
a
ti
o
n
(W)
Figure 1 - Peak Pulse Power Rating Curve
Figure 2 - Pulse Derating Curve
Figure 3 - Pulse Waveform
Figure 4 - Typical Junction Capacitance
Figure 5 - Steady State Power Dissipation Derating
Curve
0
20
40
60
80
100
120
1
10
100
Number of Cycles at 60 Hz
I FSM
-
P
e
a
k
Forwa
rd
S
u
rge
C
u
rre
nt
(A)
Figure 6 - Maximum Non-Repetitive Peak Forward
Surge Current Uni-Directional Only
相關PDF資料
PDF描述
1KSMB100 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
1LS3 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH, DPDT, MOMENTARY, 0.8A, 115VDC, PANEL MOUNT
1M234-3M HF-UHF BAND, 22 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1M246 HF-UHF BAND, 68 pF, 12 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
1M5445A 15 pF, 30 V, SILICON, ABRUPT VARIABLE CAPACITANCE DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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1KSMB30A M4G 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:1KSMB 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:25.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:28.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB） 標準包裝:3,000
1KSMB30A R5G 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:1KSMB 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:25.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:28.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW） 電源線路保護:無 應用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB） 標準包裝:850
1KSMB30AHM4G 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101，1KSMB 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:25.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:28.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW） 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB） 標準包裝:3,000
1KSMB30AHR5G 功能描述:TVS DIODE 41.4VC 24.2A DO214AA 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:汽車級，AEC-Q101，1KSMB 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:齊納 單向通道:1 電壓 - 反向關態(tài)（典型值）:25.6V 電壓 - 擊穿（最小值）:28.5V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:24.2A 功率 - 峰值脈沖:1000W（1kW） 電源線路保護:無 應用:汽車級 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB） 標準包裝:1
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