參數(shù)資料
型號(hào)： 1F2G
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-1, 2 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大小： 61K
代理商： 1F2G
PAGE . 2
STAD-MAR.03.2009
1
1F1G~1F5G
Fig.1 FORWARD CURRENT DERATING CURVE
Fig.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES
3.0
2.0
1.0
0
50
100
150
0.5
1.5
2.5
AMBIENT TEMPERATURE, C
O
A
VERAGE
FOR
W
ARD
RECTIFIED
CURRENT
,
AMPERES
25
20
15
10
5
0
1
2
6
10
20
40
60
100
30
Fig.2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
PEAK
FOR
W
ARD
SURGE
CURRENT
,AMPERES
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
8.3ms Single Half Sine-Wave
JEDEC Method
CAP
ACIT
ANCE,
pF
REVERSE VOLTAGE, VOLTS
100
10
0.1
1
10
100
1
Tj= 25 C
f= 1.0MHz
Vsig = 50mVp -p
O
MAXIMUM AVERAGE CURRENT RAING
SINGLEPHASE, HALF-WAVE,60Hz RESISTIVE
ORINDUCTIVELOAD.375"(9m m)LEADLENGTH
PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE,%
0.1
20
40
60
80
100
120
140
1.0
10
100
1000
T= 150 C
J
O
T= 100 C
J
O
T= 25 C
J
O
Fig.3-TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS
INST
ANT
ANEOUS
F
OR
W
ARD
CURRENT
,
AMPERES
10
1.0
0.1
.0 1
.00 1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
T= 2 5 C
J
O
1.7
Fig.5-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTIC
m
IN
S
T
A
N
T
A
N
E
O
U
S
R
E
V
E
R
S
E
C
U
R
E
N
T
,
m
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
1FI150B-060 150 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
1FI250B 250 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
1GH45TPA1 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1GH45TPA3 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
1GH45 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
1F2G _AY _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1F2G_ R2 _10001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
1F2T 制造商:RECTRON 功能描述:*
1F2-T 功能描述:整流器 1A 100V 150ns RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
1F2TA 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 1A R-1 制造商:smc diode solutions 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:150ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 100V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:R-1（軸向） 供應(yīng)商器件封裝:R-1 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
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