參數(shù)資料
型號： 183NQ100R
元件分類： 整流器
英文描述： 180 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： PLASTIC, D-67, HALF PACK-1
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： 183NQ100R
183NQ... Series
Bulletin PD-2.256 rev. B 05/02
3
www.irf.com
Fig. 2 - Typical Values of Reverse Current
Vs. Reverse Voltage
Fig. 3 - Typical Junction Capacitance
Vs. Reverse Voltage
Fig. 4 - Maximum Thermal Impedance Z
thJC Characteristics
Fig. 1 - Maximum Forward Voltage Drop Characteristics
1
10
100
1000
0.2
.4
.6
.8
1
1.2
1.4
FM
F
In
st
an
ta
n
eo
us
F
o
rw
a
rd
C
ur
re
nt
-
I
(
A
)
T =175°C
T =125°C
T = 25°C
J
ForwardVoltageDrop-V
(V)
.001
.01
.1
1
10
100
1000
0
20
406080
100
R
T =175°C
150°C
125°C
100°C
75°C
50°C
25°C
J
ReverseVoltage-V (V)
R
ev
e
rs
e
C
u
rr
e
n
t-
I
(
m
A)
100
1000
10000
0 1020 30 405060708090100110
T =25°C
J
ReverseVoltage-V (V)
R
T
Ju
n
cti
o
nC
a
p
ac
ita
nc
e-
C
(
pF
)
.001
.01
.1
1
.00001
.0001
.001
.01
.1
1
10
100
D=0.33
D=0.50
D=0.25
D=0.17
D=0.08
1
th
JC
t , RectangularPulseDuration(Seconds)
Th
e
rm
a
lIm
p
e
d
a
n
ce
-
Z
(
°C
/W
)
SinglePulse
(Thermal Resistance)
2
t
1
t
P
DM
Notes:
1.DutyfactorD= t /t
2.PeakT =P xZ
+T
1
JDM thJC C
2
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PDF描述
183NQ100 180 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
184.453 1 ELEMENT, 1500 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
184.445 1 ELEMENT, 1300 uH, FERRITE-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
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