參數(shù)資料
型號(hào)： 150GAL12DN2
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大小： 77K
代理商： 150GAL12DN2
GAL type
GAR type
PIN 6 and 7
GAL type
only
PIN 4 and 5
GAR type
only
IGBT-Module
IGBT-Modules
%60*$/'1%60*$5'1
Gehusemae / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
Update of Drawing Sep-21-98
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
150GAST10 功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAST25 功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAST50 功能描述:瓷片電容器 15000V 500pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAT10 功能描述:瓷片電容器 15000V 100pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
150GAT25 功能描述:瓷片電容器 15000V 250pF 20% RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors
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