參數(shù)資料
型號： 12F5S05PBF
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： 12 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
封裝： DO-4, 1 PIN
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 2963K
代理商： 12F5S05PBF
1N3879(R), 1N3889(R), 6/ 12/ 16FL(R) Series
23
3
Recovery Characteristics
1N3879. 1N3889.
6FL..
Parameter
1N3883. 1N3893.
12FL..
Units Conditions
16FL..
S02 S05
t
rr
Max. reverse recovery time
150
...
T
J = 25°C, IF = 1A to VR= 30V, dIF/dt = 100A/s
300 *
200 500
T
J = 25°C, dIF/dt = 25A/s, IFM = p x rated IF(AV)
Q
RR
Max. reverse
400
350
...
T
J = 25°C, IF = 1A to VR= 30V, dIF/dt = 100A/s
recovered charge
400
...
T
J = 25°C, dIF/dt = 25A/s, IFM = p x rated IF(AV)
I
RM(REC) Max. peak recovery current
4 *
5 *
...
---
I
FM = p x rated IF(AV)
ns
nC
* JEDEC registered value
1N3879. 1N3889.
Parameter
1N3883. 1N3893.
Units Conditions
6FL..
12FL..
16FL..
T
J
Max. junction operating
temperature range
T
stg
Max. storage temperature
range
R
thJC
Max. thermal resistance,
junction to case
R
thCS
Max. thermal resistance,
case to heatsink
T
Allowable mounting torque
1.5 +0-10%
Nm
Not lubricated threads
13
lbf.in
1.2 +0-10%
Nm
Lubricated threads
10
lbf.in
wt
Approximate weight
7 (0.25)
g (oz)
Case style
DO-203AA(DO-4)
JEDEC
-65 to 150
-65 to 175
°C
Thermal and Mechanical Specification
2.5
2.0
1.6
DC operation
0.5
Mounting surface, smooth, flat and greased
C/W
180°
0.58
0.46
0.37
0.33
0.26
0.21
120°
0.60
0.48
0.39
0.58
0.46
0.37
60°
1.28
1.02
0.82
1.28
1.02
0.82
30°
2.20
1.76
1.41
2.20
1.76
1.41
Conduction angle
Sinusoidal conduction
Rectangular conduction
Units
Conditions
K/W
1N3879.
1N3889.
1N3879.
1N3889.
1N3883.
1N3893.
1N3883.
1N3893.
6FL..
12FL..
16FL..
6FL..
12FL..
16FL..
T
J = 150°C
R
thJC Conduction
(The following table shows the increment of thermal resistence R
thJC when devices operate at different conduction angles than DC)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
12FL20S02PBF 12 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-203AA
150CMQ045PBF 150 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-249AA
150HFR120FVPBF 150 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
150K120AMPBF 150 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA
150K80RAPBF 150 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-205AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
12F60 功能描述:DIODE STD REC 600V 12A DO-4 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879
12F-60 制造商:TRSYS 制造商全稱:Transys Electronics 功能描述:STANDARD RECOVERY DIODE
12F60B 制造商:Olympic Controls Corporation 功能描述:
12F60B BN R R 功能描述:DIODE 600V 12A COM CATHODE DO-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
12F60M 功能描述:整流器 600 Volt 12 Amp RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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