| 型號(hào): | 11EQS03LTA2B5 |
| 廠商: | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類: | 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率) |
| 英文描述: | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/1頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商: | 11EQS03LTA2B5 |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 11EQS05TA1B2 | 0.8 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11ES1TA1B2 | 0.98 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11ES8TA1B2 | 0.98 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 11P/C-823J-50 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| 11P/C-683J-50 | GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 11EQS04 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| 11EQS06 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SBD |
| 11EQS09 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:SBD |
| 11EQS10 | 制造商:NIEC 制造商全稱:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:Low Forward Voltage drop Diode |
| 11EQS10-TA2B5 | 制造商: 功能描述:SCHOTTKY BARRIER DIODE VRRM:100V, |