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參數(shù)資料
| 型號： | 10G4B41 |
| 元件分類： | 橋式整流 |
| 英文描述： | 4.3 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | 10G4B41 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10BF60TR | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AA |
| 10CTQ140-003 | 10 A, 140 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10D05 | 1.5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL |
| 10D4 | 1.5 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL |
| 1N4817 | 1.5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AL |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 10G4DHCB-H | 制造商:ROITHNER 制造商全稱:ROITHNER 功能描述:HIGH POWER LED |
| 10GAP10 | 功能描述:瓷片電容器 1000V 20% 0.1uF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 10GAP15 | 功能描述:瓷片電容器 1000V 20% 0.15uF RoHS:否 制造商:Vishay/Cera-Mite 電容:0.01 uF 容差:20 % 電壓額定值:3 kV 工作溫度范圍:- 25 C to + 105 C 損耗因數(shù) DF: 端接類型:Radial 產(chǎn)品:High Voltage Ceramic Disc Capacitors |
| 10GAT15 | 制造商:Vishay Sprague 功能描述: |
| 10GAT25 | 制造商:Vishay Sprague 功能描述: |
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