參數(shù)資料
型號： 10ETF06S
元件分類： 整流器
英文描述： 10 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝： D2PAK-3
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： 10ETF06S
2
10ETF..S QUIET
IR Series
I2140 rev. A 12/99
www.irf.com
I
F(AV)
Max. Average Forward Current
10
A
@ T
C
= 128° C, 180° conduction half sine wave
I
FSM
Max. Peak One Cycle Non-Repetitive
150
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
Surge Current
160
10ms Sine pulse, no voltage reapplied
I
2t
Max. I
2t for fusing
112.5
10ms Sine pulse, rated VRRMapplied
160
10ms Sine pulse, no voltage reapplied
I2
√t Max. I2√tforfusing
1125
A2
√s
t = 0.1 to 10ms, no voltage reapplied
Part Number
V
RRM
, maximum
V
RSM
, maximum non repetitive
I
RRM
peak reverse voltage
150°C
VV
mA
10ETF02S
200
300
2
10ETF04S
400
500
10ETF06S
600
700
Voltage Ratings
Absolute Maximum Ratings
Electrical Specifications
Recovery Characteristics
Parameters
10ETF..S
Units
Conditions
A
2s
V
FM
Max. Forward Voltage Drop
1.2
V
@ 10A, T
J
= 25°C
r
t
Forward slope resistance
12.7
m
T
J
= 150°C
VF(TO) Threshold voltage
1.25
V
I
RM
Max. Reverse Leakage Current
0.1
T
J
= 25 °C
2.0
TJ = 150 °C
Parameters
10ETF..S
Units
Conditions
V
R
= rated V
RRM
mA
t
rr
Reverse Recovery Time
145
ns
I
F
@ 10Apk
I
rr
Reverse Recovery Current
2.75
A
@ 25A/ s
Q
rr
Reverse Recovery Charge
0.32
C
@ 25°C
S
Snap Factor
0.6
Parameters
10ETF..S
Units
Conditions
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PDF描述
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10ETS16STRR 10 A, 1600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
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