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參數(shù)資料
| 型號： | 10E6 |
| 廠商： | NIHON INTER ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關、功率) |
| 英文描述： | 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 21K |
| 代理商： | 10E6 |
OUTLINE DRAWING
Maximum Ratings
Approx Net Weight:0.33g
Rating
Symbol
10E6
Unit
Repetitive Peak Reverse Voltage
VRRM
600
V
Non-repetitive Peak Reverse Voltage
VRSM
800
V
Average Rectified Output Current
IO
1.0
Ta=70
°C
50Hz Half Sine
Wave Resistive Load
A
RMS Forward Current
IF(RMS)
1.57
A
Surge Forward Current
IFSM
50
50Hz Half Sine Wave,1cycle,
Non-repetitive
A
Operating JunctionTemperature Range
Tjw
- 40 to + 150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
- 40 to + 150
°C
Electrical
Thermal Characteristics
Characteristics
Symbol
Conditions
Min. Typ. Max.
Unit
Peak Reverse Current
IRM
Tj= 25
°C, VRM= VRRM
-
50
A
Peak Forward Voltage
VFM
Tj= 25
°C, IFM= 1.0A
-
0.9
V
Thermal Resistance
Rth(j-a) Junction to Ambient
-
91
°C/W
DIODE
Type ::::
10E6
FEATURES
* Miniature Size
* Low Forward Voltage drop
* Low Reverse Leakage Current
* High Surge Capability
* 52mm Inside Tape Spacing Package Available
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 10EF1TA1B2 | 0.95 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 10EF1TA2B5 | 0.95 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 10EF2 | 0.95 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 10ETF02STRL | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 10ETF04STRR | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 10E62352 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 10E8PT5.5 | 功能描述:保險絲 V A Limiting 5.5kV RoHS:否 制造商:Littelfuse 產(chǎn)品:Surface Mount Fuses 電流額定值:0.5 A 電壓額定值:600 V 保險絲類型:Fast Acting 保險絲大小/組:Nano 尺寸:12.1 mm L x 4.5 mm W 安裝風格: 端接類型:SMD/SMT 系列:485 |
| 10E-8PT-5.5 | 制造商:LITTELFUSE 制造商全稱:Littelfuse 功能描述:Medium Voltage Fuses |
| 10E9S8F012JB4E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Thick Film Chip Resistors |
| 10E9S8F012JC4E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Thick Film Chip Resistors |
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