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1N755A BK

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  • 型號
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  • 封裝
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1N755A BK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35
  • 制造商
  • central semiconductor corp
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz)
  • 7.5V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 6 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 1V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf)
  • 1.5V @ 200mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 200°C
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH,DO-35,軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標(biāo)準包裝
  • 2,500
1N755A BK 技術(shù)參數(shù)
  • 1N755A 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):6 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1,000 1N754AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準包裝:1 1N754ATR 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 1N754A-1 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):3 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:1 1N754A_T50R 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):5 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準包裝:10,000 1N756A TR 1N756A_S00Z 1N756A_T50A 1N756A_T50R 1N756A-1 1N756ATR 1N756AUR-1 1N757A 1N757A BK 1N757A TR 1N757A_S00Z 1N757A_T50A 1N757A_T50R 1N757A-1 1N757ATR 1N757AUR-1 1N758A 1N758A BK
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