1N757A_T50A

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功能描述
穩(wěn)壓二極管 9.1V 0.5W Zener
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數(shù)
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

1N757A_T50A 技術參數(shù)

1N757A_S00Z 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW 5% DO-35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 1N757A TR 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 1N757A BK 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:2,500 1N757A 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW DO7 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AA，DO-7，軸向供應商器件封裝:DO-7（DO-204AA）標準包裝:1 1N756AUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:1 1N758A_T50R 1N758A-1 1N758ATR 1N758AUR-1 1N759A 1N759A BK 1N759A TR 1N759A_S00Z 1N759A_T50A 1N759A_T50R 1N759A-1 1N759ATR 1N759AUR-1 1N761 1N762 1N763 1N764 1N765