參數資料
型號: 0785_XP161A1355PR
廠商: TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述: POWER MOSFET
中文描述: 功率MOSFET
文件頁數: 2/4頁
文件大小: 165K
代理商: 0785_XP161A1355PR
847
11
DC Characteristics
Ta=25
°C
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Drain Cut-off Current
Idss
Vds = 20V , Vgs = 0V
10
A
Gate-Source Leakage Current
Igss
Vgs =
± 8V , Vds = 0V
± 10
A
Gate-Source Cut-off Voltage
Vgs (off )
Id = 1mA , Vds = 10V
0.5
1.2
V
Drain-Source On-state Resistance
Rds ( on )
Id = 2A , Vgs = 4.5V
0.37
0.05
Id = 2A , Vgs = 2.5V
0.05
0.07
( note )
Id = 0.5A , Vgs = 1.5V
0.10.1
5
Forward Transfer Admittance
( note )
Body Drain Diode
Forward Voltage
( note ) : Effective during pulse test.
Dynamic Characteristics
Ta=25
°C
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
Ciss
390
pF
Output Capacitance
Coss
Vds = 10V , Vgs = 0V
210
pF
Feedback Capacitance
Crss
f = 1 MHz
90
pF
Switching Characteristics
Ta=25
°C
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Turn-on Delay Time
td ( on )
10
ns
Rise Time
tr
Vgs = 5V , Id = 2A
15
ns
Turn-off Delay Time
td ( off )
Vdd = 10V
85
ns
Fall Time
tf
45
ns
Thermal Characteristics
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Thermal Resistance
Implement on a ceramic PCB
( channel-ambience )
Id = 2A , Vds = 10V
| Yfs |
S
10
°C / W
62.5
Rth ( ch-a )
Vf
If = 4A , Vgs = 0V
V
0.85
1.1
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PDF描述
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