參數(shù)資料
型號(hào)： 0724_XP132A1275SR
廠商： TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
英文描述： Power MOS FET
中文描述： 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 158K
代理商： 0724_XP132A1275SR
736
11
DC Characteristics
Ta=25
°C
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Drain Cut-off Current
Idss
Vds = - 20V , Vgs = 0V
- 10
A
Gate-Source Leakage Current
Igss
Vgs =
± 12V , Vds = 0V
± 1
A
Gate-Source Cut-off Voltage
Vgs (off )
Id = -1mA , Vds = - 10V
- 0.5
- 1.2
V
Drain-Source On-state Resistance
Id = - 3A , Vgs = - 4.5V
0.06
0.075
( note )
Id = - 3A , Vgs = - 2.5V
0.092
0.115
Forward Transfer Admittance
( note )
Body Drain Diode
Forward Voltage
( note ) : Effective during pulse test.
Dynamic Characteristics
Ta=25
°C
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Input Capacitance
Ciss
770
pF
Output Capacitance
Coss
Vds = - 10V , Vgs = 0V
440
pF
Feedback Capacitance
Crss
f = 1 MHz
180
pF
Switching Characteristics
Ta=25
°C
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Turn-on Delay Time
td ( on )
10
ns
Rise Time
tr
Vgs = - 5V , Id = - 3A
25
ns
Turn-off Delay Time
td ( off )
Vdd = - 10V
45
ns
Fall Time
tf
40
ns
Thermal Characteristics
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
Thermal Resistance
Implement on a glass epoxy
( channel-ambience )
resin PCB
°C / W
50
Rth ( ch-a )
Vf
If = - 5A , Vgs = 0V
V
- 0.85
- 1.1
Id = - 3A , Vds = - 10V
| Yfs |
Rds ( on )
S
8
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PDF描述
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參數(shù)描述
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