| 型號: | 015AZ2.0X |
| 廠商: | Toshiba Corporation |
| 英文描述: | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 中文描述: | 二極管外延硅平面型 |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 234K |
| 代理商: | 015AZ2.0X |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 015AZ2.0Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ2.2X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ2.2Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ2.4-X | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
| 015AZ2.4-Z | Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 015AZ20-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 20V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ22-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 22V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ24 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Constant-Voltage Regulation Applications |
| 015AZ24-X(TH3,F,T) | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 24V 150mW RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| 015AZ3.0 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |