參數(shù)資料
型號(hào)： μPD431532L
廠商： NEC Corp.
英文描述： 1M-Bit CMOS Synchronous Fast SRAM(1M CMOS同步快速靜態(tài)RAM)
中文描述： 100萬位CMOS同步快速靜態(tài)存儲(chǔ)器（100萬的CMOS同步快速靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 8/20頁
文件大小： 171K
代理商： ΜPD431532L
8
μ
PD431532L
DC Characteristics (T
A
= 0 to 70 °C, V
DD
= 3.3 V ± 0.165 V)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
V
IN
(except ZZ, MODE) = 0 V to V
DD
–2
+2
μ
A
ZZ, MODE = 0 V or V
DD
–5
+5
I/O leakage current
I
LO
V
I/O
= 0 V to V
DD
Q, Outputs are disabled.
–2
+2
μ
A
Operating supply current
I
CC
Device selected, Cycle = MAX.
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
, I
I/O
= 0 mA
200
mA
I
CC1
Suspend cycle, Cycle = MAX.
/AC, /AP, /ADV, /GW, /BWEs
≥
V
IH
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
, I
I/O
= 0 mA
50
Standby supply current
I
SB
Device deselected, Cycle = 0 MHz
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
, All inputs are static.
20
mA
I
SB1
Device deselected, Cycle = 0 MHz
V
IN
≤
0.2 V or V
IN
≥
V
DD
0.2 V
V
I/O
≤
0.2 V, All inputs are static.
0.5
5
I
SB2
Device deselected, Cycle = MAX.
V
IN
≤
V
IL
or V
IN
≥
V
IH
ZZ
≥
V
DD
–
0.2 V, V
I/O
≤
V
DD
Q + 0.2 V
50
140
Power down supply current
I
SBZZ
0.5
5
mA
2.5 V LVTTL interface
High level output voltage
V
OH
I
OH
= –2.0 mA
2.1
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= + 2.0 mA
0.3
V
3.3 V LVTTL interface
High level output voltage
V
OH
I
OH
= –4.0 mA
2.4
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= + 8.0 mA
0.4
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD431536L 1M-Bit CMOS Synchronous Fast Static RAM(1M CMOS 同步快速靜態(tài)RAM)
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μPD45128441 128M-bit Synchronous DRAM(128M 同步DRAM)
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參數(shù)描述
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PD43-183M 功能描述:固定電感器 18uH 20% .338ohm Choke SMT Inductor RoHS:否 制造商:AVX 電感:10 uH 容差:20 % 最大直流電流:1 A 最大直流電阻:0.075 Ohms 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 自諧振頻率:38 MHz Q 最小值:40 尺寸:4.45 mm W x 6.6 mm L x 2.92 mm H 屏蔽:Shielded 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:6.6 mm x 4.45 mm
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