參數(shù)資料
型號(hào)： μPD42S17405L
廠商： NEC Corp.
英文描述： 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 1,600位CMOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器（1,600的CMOS動(dòng)態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 7/36頁(yè)
文件大小： 310K
代理商： ΜPD42S17405L
μ
PD42S17405L, 4217405L
7
Cautions when using the hyper page mode (EDO)
1.
CAS access should be used to operate t
HPC
at the MIN. value.
2.
To make I/Os to Hi-Z in read cycle, it is necessary to control RAS, CAS, WE, OE as follows. The effective
specification depends on the state of each signal.
(1) Both RAS and CAS are inactive (at the end of read cycle)
WE: inactive, OE: active
t
OFC
is effective when RAS is inactivated before CAS is inactivated.
t
OFR
is effective when CAS is inactivated before RAS is inactivated.
The slower of t
OFC
and t
OFR
becomes effective.
(2) Both RAS and CAS are active or either RAS or CAS is active (in read cycle)
WE, OE: inactive ····· t
OEZ
is effective.
Both RAS and CAS are inactive or RAS is active and CAS is inactive (at the end of read cycle)
WE, OE: active and either t
RRH
or t
RCH
must be met ····· t
WEZ
and t
WPZ
are effective.
The faster of t
OEZ
and t
WEZ
becomes effective.
The faster of (1) and (2) becomes effective.
3.
In read cycle, the effective specification depends on the state of CAS signal when controlling data output
with the OE signal.
(1) CAS: inactive, OE: active ····· t
CHO
is effective.
(2) CAS, OE: active ····· t
OCH
is effective.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
μPD4217405 16 M-Bit Dynamic RAM(16M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD42S17405 16 M-Bit Dynamic RAM(16M 動(dòng)態(tài)RAM)
μPD4217805L 3.3V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT,EDOM)
μPD42S17805L 3.3V OPERATION 16 M-BIT DYNAMIC RAM 2M-WORD BY 8-BIT,EDO
μPD4218165L 16M- bit CMOS dynamic RAMs(16M CMOS 動(dòng)態(tài)RAM)
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