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參數(shù)資料
| 型號： | μPD421805 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 1 M-Bit Dynamic RAM(1M 動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1 m位動態(tài)隨機(jī)存儲器（RAM的100萬動態(tài)） |
| 文件頁數(shù)： | 5/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 302K |
| 代理商： | ΜPD421805 |
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μ
PD421805
5
Pin name
RAS
(Row address strobe)
CAS
(Column address strobe)
A0 to A8
(Address inputs)
WE
(Write enable)
OE
(Output enable)
I/O1 to I/O8
(Data inputs/outputs)
Input/Output Pin Functions
The
μ
PD421805 has input pins RAS, CAS, WE, OE, A0 to A8 and input/output pins I/O1 to I/O8.
Input/Output
Function
Input
RAS activates the sense amplifier by latching a row address and selecting a
corresponding word line.
It refreshes memory cell array of one line selected by the row address.
It also selects the following function.
CAS before RAS refresh
Input
CAS activates data input/output circuit by latching column address and
selecting a digit line connected with the sense amplifier.
Input
Address bus.
Input total 17-bit of address signal, upper 9-bit and lower 8-bit in sequence
(address multiplex method).
Therefore, one word is selected from 131,072-word by 8-bit memory cell
array.
In actual operation, latch row address by specifying row address and
activating RAS.
Then, switch the address bus to column address and activate CAS.
Each address is taken into the device when RAS and CAS are activated.
Therefore, the address input setup time (t
ASR
, t
ASC
) and hold time (t
RAH
, t
CAH
)
are specified for the activation of RAS and CAS.
Input
Write control signal.
Write operation is executed by activating RAS, CAS and WE.
Input
Read control signal.
Read operation can be executed by activating RAS, CAS and OE.
If WE is activated during read operation, OE is to be ineffective in the device.
Therefore, read operation cannot be executed.
Input/Output
8-bit data bus.
I/O1 to I/O8 are used to input/output data.
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PDF描述 |
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