參數(shù)資料
型號： μPA826TF
廠商： NEC Corp.
英文描述： High-Frequecy Low-Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
中文描述： 高Frequecy低噪聲放大器NPN晶體管（高頻低噪聲放大器npn型晶體管）
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 75K
代理商： ΜPA826TF
P
PA826TF
3
0.5
G
T
Collector Current I
C
(mA)
Gain Bandwidth Product vs. Collector Current
2
1
2
5
10
20
50
1
I
2
|
2
Collector Current I
C
(mA)
2
4
6
8
10
2
5
10
20
50
0
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
DC Current Gain vs. Collector Current
20
40
60
D
F
Collector Current I
C
(mA)
100
200
0
0.1
I
B
= 100 A
200 A
300 A
400 A
500 A
0.2
0.5
1
2
5 V
V
CE
= 3 V
5
10
20
50 100
f = 2 GHz
30
50
10
14
12
10
8
6
4
5 V
3 V
f = 2 GHz
0.5
Collector Current I
C
(mA)
0
1
2
3
0.5
F
r
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
0.2
1
5
10
20
N
1
2
5
20
50
4
f = 1 MHz
0.3
0.4
0.5
0.6
2
10
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
V
CE
= 1 V
3 V
5 V
V
CE
= 1 V
Collector Current vs.
Collector-to-Emitter Voltage
Insertion Power Gain vs. Collector Current
Noise Figure vs. Collector Current
Feedback Capacitance vs. Collector-to-Base Voltage
1
2
3
4
5
6
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