參數(shù)資料
型號： μPA814TC
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN Silicon RF Twin Transistor(NPN射頻晶體管)
中文描述： NPN硅射頻雙晶體管（npn型射頻晶體管）
文件頁數(shù)： 3/20頁
文件大小： 84K
代理商： ΜPA814TC
μ
PA814TC
Data Sheet P14551EJ1V0DS00
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25
°
C)
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
T
T
Ambient Temperature T
A
(
°
C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
G
T
Collector Current I
C
(mA)
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
D
F
Collector Current I
C
(mA)
DC CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
I
S
2
2
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION POWER GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
COLLECTOR CURRENT vs.
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
V
CE
= 1 V
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
0
0.5
1
0
100
230
200
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
6
5.000
15.000
1
10
100
10
100
1 000
0.1
1
10
100
0.000
2.000
4.000
6.000
8.000
9.000
1
10
100
2 Elements in total
Free Air
Per
Element
V
CE
= 1 V
I
B
= 160 A
I
B
= 140 A
I
B
= 120 A
I
B
= 100 A
I
B
= 80 A
I
B
= 60 A
I
B
= 40 A
I
B
= 20 A
13.000
11.000
9.000
7.000
V
CE
= 1 V
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
f = 2 GHz
V
CE
= 1 V
V
CE
= 3 V
相關PDF資料
PDF描述
μPA814T Microwave Low Noise Amplifier NPN Silicon Epitaxial Transistor(微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管)
μPA821TC NPN Silicon RF Twin Transistor(NPN射頻晶體管)
μPA821TF High-Frequecy Low-Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
μPA828TF High-Frequecy Low-Noise Amplifier NPN Transistor(高頻低噪聲放大器NPN晶體管)
μPA831TC NPN Silicon RF Twin Transistor(NPN射頻晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PA81J 功能描述:運算放大器 - 運放 Linear Op-Amp, 150V, .03A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉換速度:0.89 V/us 關閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
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