參數(shù)資料
型號： μPA808T
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low Noise Microwave Amlification NPN Epitaxial Silicon Transistor(應(yīng)用于微波低噪聲放大器的NPN硅外延晶體管)
中文描述： 低噪聲微波Amlification npn型外延硅晶體管（應(yīng)用于微波低噪聲放大器的npn型硅外延晶體管）
文件頁數(shù)： 3/12頁
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代理商： ΜPA808T
μ
PA808T
3
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
3
2
1
1
2
3
5
7
10
Collector Current I
C
(mA)
N
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
f = 1 MHz
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
F
r
f = 2 GHz
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
f = 2 GHz
15
10
5
1
2
3
5
7
10
T
Collector Current I
C
(mA)
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
10
5
0
1
2
3
5
7
10
V
CE
= 1 V
V
CE
= 2 V
I
2
|
2
Collector Current I
C
(mA)
f = 2 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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