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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | μPA804T |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN Silicon Epitaxial Transistor(NPN 外延硅晶體管) |
| 中文描述： | NPN硅外延晶體管（npn型外延硅晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 50K |
| 代理商： | ΜPA804T |
μ
PA804T
3
0.5
G
T
Collector Current I
C
(mA)
f
T
|
I
C
Characteristics
0
f = 1 GHz
2
4
6
8
1
3
7 10
30
50
100
0.5
I
2
Collector Current I
C
(mA)
l S
21e
l
2
– I
C
Characteristics
0
f = 1 GHz
4
8
12
16
1
2
5
10
20
50
0
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
I
C
–V
CE
Characteristics
2
4
6
8
10
10
20
30
D
F
Collector Current I
C
(mA)
h
FE
|
I
C
Characteristics
20
100
200
60
μ
A
80
μ
A
100
μ
A
50
10
0.5
1
2
5
10
20
50
V
CE
= 5 V
40
μ
A
I
B
= 120
μ
A
V
CE
= 5 V
3 V
3 V
V
CE
= 5 V
0.1
Frequency f (GHz)
0
5
10
15
20
3 V
1
C
o
Collector to Base Voltage V
CB
(V)
C
ob
– V
CB
Characteristics
0.1
0.2
0.5
0.7
2.0
2
5
7
10
20
I
2
2
l S
21e
l
2
– f Characteristics
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
25
1.0
f = 1 MHz
I
C
= 5 mA
20
μ
A
V
CE
= 5 V
70
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPA806T | Microwave Low Noise Amplifier NPN Silicon Transistor(微波低噪聲放大器NPN晶體管) |
| μPA808T | Low Noise Microwave Amlification NPN Epitaxial Silicon Transistor(應(yīng)用于微波低噪聲放大器的NPN硅外延晶體管) |
| μPB1502GR | 1.7 GHz/ 2.0 GHz Low-Power Two-Modulus Prescaler(1.7GHz 到 2.0GHz 定標(biāo)器) |
| μPB1502GR(1) | 1.7 GHz/ 2.0 GHz Low-Power Two-Modulus Prescaler(1.7GHz 到 2.0GHz 定標(biāo)器) |
| μPB1505GR | silicon prescaler IC(硅預(yù)定標(biāo)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PA-805-004-001 REV B | 制造商:Vishay Precision Group Inc 功能描述:301344 10K/2K B V 152422 FOR PARKER HANNIFIN - Bulk |
| PA805SWB | 制造商:Shure 功能描述:Passive Directional Antenna (470-952 MHz) Includes 10 BNC/BNC Cable |
| PA806C03 | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:SCHOTTKY DIODE |
| PA80F/F | 制造商:HYLEC 功能描述:TERMINAL BLOCK SIX TAB |
| PA80F/FF | 制造商:未知廠(chǎng)家 制造商全稱(chēng):未知廠(chǎng)家 功能描述:FLACHSTECKVERTEILER 6 FASTON 16A |
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