參數(shù)資料
型號: μ PD432232L
廠商: NEC Corp.
英文描述: 2M-Bit CMOS Synchronous Fast Static RAM(2M CMOS 同步快速靜態(tài)RAM)
中文描述: 200萬位CMOS同步快速靜態(tài)RAM(200萬的CMOS同步快速靜態(tài)內(nèi)存)
文件頁數(shù): 8/20頁
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代理商: Μ PD432232L
8
μ
PD432232L
DC Characteristics (T
A
= 0 to 70°C, V
DD
= 3.1 to 3.6 V)
Parameter
Symbol
Test condition
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Note
Input leakage current
I
LI
V
IN
(except ZZ, MODE) = 0 V to V
DD
2
+2
μ
A
ZZ, MODE = 0 V or V
DD
5
+5
I/O leakage current
I
LO
V
I/O
= 0 V to V
DD
Q, Output disabled
2
+2
μ
A
Operating supply current
I
CC
Device selected, Cycle = MAX.
V
IN
V
IL
or V
IN
V
IH
, I
I/O
= 0 mA
180
mA
I
CC1
Suspend cycle, Cycle = MAX.
/AC, /AP, /ADV, /GW, /BWEs
V
IH
V
IN
V
IL
or V
IN
V
IH
, I
I/O
= 0 mA
60
Standby supply current
I
SB
Device deselected, Cycle = 0 MHz
V
IN
V
IL
or V
IN
V
IH
, All inputs static
20
mA
I
SB1
Device deselected, Cycle = 0 MHz
V
IN
0.2V or V
IN
V
DD
0.2V,
V
I/O
0.2 V, All inputs static
0.2
2.0
I
SB2
Device deselected, Cycle = MAX.
V
IN
V
IL
or V
IN
V
IH
ZZ
V
DD
0.2V, V
I/O
V
DD
Q + 0.2V
60
Power down supply current
I
SBZZ
0.2
2.0
mA
2.5 V LVTTL interface
High level output voltage
V
OH
I
OH
=
2.0 mA
2.1
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= +2.0 mA
0.3
V
3.3 V LVTTL interface
High level output voltage
V
OH
I
OH
=
4.0 mA
2.4
V
Low level output voltage
V
OL
I
OL
= +8.0 mA
0.4
V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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