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參數(shù)資料
| 型號： | XCV812E-6FG676I |
| 廠商： | Xilinx, Inc. |
| 英文描述： | Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays |
| 中文描述： | 的Virtex娥內存擴展1.8伏現(xiàn)場可編程門陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 45/116頁 |
| 文件大?。?/td> | 1087K |
| 代理商： | XCV812E-6FG676I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁當前第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁
Virtex-E 1.8 V Extended Memory Field Programmable Gate Arrays
DS025-2 (v2.1) July 17, 2002
www.xilinx.com
1-800-255-7778
Module 2 of 4
41
R
SSTL3_I
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
SSTL3_I appears in
Figure 49
. DC voltage specifications
appear in
Table 28
.
SSTL3_II
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
SSTL3_II appears in
Figure 50
. DC voltage specifications
appear in
Table 29
.
SSTL2_I
A sample circuit illustrating a valid termination technique for
SSTL2_I appears in
Figure 51
. DC voltage specifications
appear in
Table 30
.
Figure 49:
Terminated SSTL3 Class I
Table 28:
SSTL3_I Voltage Specifications
Parameter
Min
Typ
Max
V
CCO
3.0
3.3
3.6
V
REF
= 0.45
×
V
CCO
1.3
1.5
1.7
V
TT
= V
REF
1.3
1.5
1.7
V
IH
= V
REF
+ 0.2
1.5
1.7
3.9
(1)
V
IL
= V
REF
– 0.2
0.3
(2)
1.3
1.5
V
OH
= V
REF
+ 0.6
1.9
-
-
V
OL
= V
REF
– 0.6
-
-
1.1
I
OH
at V
OH
(mA)
8
-
-
I
OL
at V
OL
(mA)
8
-
-
Notes:
1.
2.
V
IH
maximum is V
CCO
+ 0.3
V
IL
minimum does not conform to the formula
Figure 50:
Terminated SSTL3 Class II
50
Z = 50
SSTL3 Class I
x133_13_111699
25
V
REF
= 1.5V
V
TT
= 1.5V
V
CCO
= 3.3V
50
Z = 50
SSTL3 Class II
x133_14_111699
25
50
V
REF
= 1.5V
V
TT
= 1.5V
V
TT
= 1.5V
V
CCO
= 3.3V
Table 29:
SSTL3_II Voltage Specifications
Parameter
Min
Typ
Max
V
CCO
V
REF
= 0.45
×
V
CCO
V
TT
= V
REF
V
IH
= V
REF
+ 0.2
V
IL
= V
REF
– 0.2
V
OH
= V
REF
+ 0.8
V
OL
= V
REF
– 0.8
I
OH
at V
OH
(mA)
I
OL
at V
OL
(mA)
3.0
3.3
3.6
1.3
1.5
1.7
1.3
1.5
1.7
3.9
(1)
1.5
1.7
0.3
(2)
1.3
1.5
2.1
-
-
-
-
0.9
16
-
-
16
-
-
Notes:
1.
2.
V
IH
maximum is V
CCO
+ 0.3
V
IL
minimum does not conform to the formula
Figure 51:
Terminated SSTL2 Class I
Table 30:
SSTL2_I Voltage Specifications
Parameter
Min
Typ
Max
V
CCO
V
REF
= 0.5
×
V
CCO
V
TT
= V
REF
+ N
(1)
V
IH
= V
REF
+ 0.18
V
IL
= V
REF
– 0.18
V
OH
= V
REF
+ 0.61
V
OL
= V
REF
– 0.61
I
OH
at V
OH
(mA)
I
OL
at V
OL
(mA)
2.3
2.5
2.7
1.15
1.25
1.35
1.11
1.25
1.39
3.0
(2)
1.33
0.3
(3)
1.43
1.07
1.17
1.76
-
-
-
-
0.74
7.6
-
-
7.6
-
-
Notes:
1.
N must be greater than or equal to –0.04 and less than or
equal to 0.04.
V
IH
maximum is V
CCO
+ 0.3.
V
IL
minimum does not conform to the formula.
2.
3.
50
Z = 50
SSTL2 Class I
xap133_15_011000
25
V
REF
= 1.25V
V
TT
= 1.25V
V
CCO
= 2.5V
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